技術(shù)編號：6998232
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，屬于光電子。背景技術(shù)III V族寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體具有寬帶隙、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高硬度、穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)、較小介電常數(shù)和耐高溫等一系列優(yōu)點(diǎn)，因此其在高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管、藍(lán)色半導(dǎo)體激光器以及抗輻射、高頻、高溫、高壓等電子電力器件中有著廣泛的實(shí)際應(yīng)用和巨 大的市場前景。GaN是半導(dǎo)體III族氮化物的基本材料，質(zhì)地堅(jiān)硬，且化學(xué)性質(zhì)異常穩(wěn)定，室溫下不與酸、堿反應(yīng)，不溶于水，具有較高的熔點(diǎn)1700°C。GaN具有優(yōu)秀的電學(xué)性質(zhì)，電子遷移率最高可達(dá)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。