技術(shù)編號：6994392
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及的是ー種微電子的相變存儲材料及制備方法，更確切的說是一種用于高溫環(huán)境的N-Ge-Te的相變存儲材料及制備方法。背景技術(shù)相變存儲技術(shù)是近幾年才興起的ー種新概念存儲技術(shù)，它利用相變薄膜材料作為存儲介質(zhì)來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，具有廣闊的應(yīng)用前景，是目前存儲器研究的ー個熱點，被認為最有希望成為下一代主流存儲器。作為相變存儲器(PCRAM)的核心部分，相變薄膜材料的研發(fā)在PCRAM的研發(fā)中起到了至關(guān)重要的作用。相變材料性能的提升是提升整個PCRAM器件性能的關(guān)鍵技...
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