技術(shù)編號(hào):6991788
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及從工件表面移除或剝離光致抗蝕劑材料并且移除相關(guān)殘留物的方法及設(shè)備。在某些實(shí)施例中,本申請(qǐng)案涉及用于在離子植入或等離子體輔助摻雜植入之后剝離抗蝕劑(低劑量或高劑量植入抗蝕劑)的方法及設(shè)備。背景技術(shù)光致抗蝕劑為在處理期間在工件(例如半導(dǎo)體晶片)上形成經(jīng)圖案化涂層的某些 制造工藝中所使用的感光材料。在使經(jīng)光致抗蝕劑涂覆的表面暴露于高能量輻射的圖案之后,移除所述光致抗蝕劑的一部分以顯露下方的表面,并使剩余表面得以被保護(hù)。在未經(jīng)遮蓋表面及剩余光致抗蝕劑上執(zhí)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。