技術(shù)編號：6991323
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。用于控制等離子體處理系統(tǒng)的方法和裝置背景技術(shù)在半導體行業(yè)，利用RF驅(qū)動等離子體室制造硅晶片是常見的。在這樣的應(yīng)用中，存在通常的監(jiān)控鞘層電壓的需求，特別是監(jiān)控鞘層電壓與晶片本身的DC偏置電位 (potential)有怎樣的相關(guān)性。目前，有一些確定晶片電位以及鞘層和主體等離子體電位的技術(shù)。相對于晶片偏置電位，一種監(jiān)控方法包括通過檢測晶片與靜電卡盤(ESC)之間的漏電流以測量晶片的自偏壓，同時改變施加到ESC上的DC電壓。在一些電流產(chǎn)生設(shè)施中使用該技術(shù)時，計算所...
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