技術(shù)編號：6987662
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及形成半導(dǎo)體材料薄層的方法。 背景技術(shù)由于Ge的相對稀缺性，使用塊狀Ge半導(dǎo)體襯底不可能容易滿足未來對Ge基技術(shù)的需求。這在較大襯底晶片直徑時(shí)尤為相關(guān)，對于該襯底晶片，每單位面積需要更厚的Ge 來提供足夠的機(jī)械強(qiáng)度。絕緣體上鍺(GeOI)晶片提供了一種可行的替代物。僅僅需要少量的Ge材料(一般在0.001% 之間)就可以制造相當(dāng)?shù)木睆剑⑶矣兄谠陟o電學(xué)上和電子學(xué)上與提供的那些絕緣體上硅(SOI)相當(dāng)。位于鍺薄表面層和襯底本體之間的氧化物蝕刻終...
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