技術(shù)編號(hào)：6955735
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明用于半導(dǎo)體光電子器件制造，具體涉及到一種新型的柵極調(diào)制 GaN基發(fā)光二極管的器件結(jié)構(gòu)和制備方法。背景技術(shù)GaN基半導(dǎo)體是新型的寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理、化學(xué)性質(zhì)。 基于InGaN量子阱結(jié)構(gòu)的大功率LED是當(dāng)前半導(dǎo)體光電子研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展 龍頭。當(dāng)前III族氮化物在彩色顯示、裝飾照明燈諸多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。量子阱發(fā)光結(jié)構(gòu)是量子物理在光電子領(lǐng)域應(yīng)用的典型范例，當(dāng)量子阱厚度減小到 納米量級(jí)后，載流子態(tài)密度呈階梯狀分布，從而在相...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。