技術(shù)編號：6952450
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微納，特別涉及一種。本發(fā)明提 出了一種采用側(cè)墻工藝、濕法腐蝕方法制備平面相變存儲器的方法。該方法盡量避免使用 電子束曝光的成本高、周期長的不足，制備方法簡單，可控性好，在突破光刻分辨率限制及 提高平面相變存儲器的制備效率等方面具有很大的優(yōu)越性。背景技術(shù)存儲器自問世以來，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占著越來越重要的地位。全球的半導(dǎo)體市場 中，存儲器占有80 %的份額。而且隨著信息化產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展和需求，存儲器的發(fā)展也在發(fā) 生著日新月異的變化。存儲器按其存儲特性可...
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