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技術(shù)編號(hào)：6948957

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本發(fā)明涉及氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)管制備，尤其涉及一種。背景技術(shù)在當(dāng)今的半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，III-V族化合物憑借其諸多方面的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)替代硅而成為新的寵兒。氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以其禁帶寬度大(3.4eV)、擊穿電壓高(3. 3MV/cm)、二維電子氣濃度高(> IO13Cm2)、飽和電子速度大O. 8X 107cm/s)等特性在國(guó)際上受到廣泛關(guān)注。目前，AlGaN/GaN HEMT器件的高頻、高壓、高溫以及大功率特性使之在微波功率器件方面有...
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