技術(shù)編號(hào)：6947209
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明普遍涉及一種電路結(jié)構(gòu)以及一種瞬態(tài)電壓抑制器的制作方法。更確切地 說(shuō)，本發(fā)明涉及一種改良的電路結(jié)構(gòu)以及一種改良的瞬態(tài)電壓抑制器的制作方法，通過(guò)在 瞬態(tài)電壓抑制器電路中建立一個(gè)底部源極N型金屬氧化硅硅觸發(fā)的齊納箝位結(jié)構(gòu)，用于低 壓保護(hù)。背景技術(shù)瞬態(tài)電壓抑制器通常用于保護(hù)集成電路免受因集成電路上突發(fā)的過(guò)電壓帶來(lái)的 損害。集成電路是在電壓的正常范圍內(nèi)設(shè)計(jì)的。然而，一些意外的、不可控的高壓現(xiàn)象，例如 靜電放電、電學(xué)快速瞬變以及二次雷電等，可能會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生突然襲...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。