技術(shù)編號(hào)：6946462
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。 背景技術(shù)太陽(yáng)電池將光能轉(zhuǎn)換為電能，根據(jù)所使用的半導(dǎo)體而提出各種類型的構(gòu)成。近年 來(lái)，制造工序簡(jiǎn)單而能夠期待高的轉(zhuǎn)換效率的CIGS型太陽(yáng)電池備受矚目。CIGS型太陽(yáng)電 池例如包括形成于基板之上的第1電極膜、包括形成于第1電極膜之上的化合物半導(dǎo)體 (銅-銦-鎵-硒化合物)層的薄膜、和形成于該薄膜之上的第2電極膜。而且，在去除了 薄膜的一部分的槽內(nèi)形成第2電極膜，電連接第1電極膜與第2電極膜。(例如，參照專利 文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1特開2002-31...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。