技術(shù)編號(hào)：6943218
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及提參建模，尤其涉及。背景技術(shù)集成電路設(shè)計(jì)的好壞強(qiáng)烈地依賴于其所使用的器件模型參數(shù)，因此提取一套好的模型參數(shù)顯得非常重要。一套好的模型參數(shù)要求準(zhǔn)確、快速、收斂性好，參數(shù)易提取。人們對(duì)常態(tài)下半導(dǎo)體器件的模型研究很多，目前存在的模型有BSIM、PSP、HISIM、EKV等。而且目前的商用提參軟件也都可以對(duì)這些標(biāo)準(zhǔn)模型進(jìn)行自動(dòng)提取。總劑量效應(yīng)是指當(dāng)器件持續(xù)受到電離輻射時(shí)，器件的閾值電壓發(fā)生漂移、跨導(dǎo)降低、亞閾值電流增大、低頻噪聲增大。它主要由電離輻射在氧...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。