技術編號：6942042
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體，特別指在大失配的襯底上，利用氮化物復合緩沖層 結合超晶格的方法生長表面無裂紋的GaN薄膜材料。背景技術GaN材料作為第三代半導體材料的典型代表，具有禁帶寬度大、電子漂移速度大、 熱傳導率高，耐高壓、耐熱分解、耐腐蝕和耐放射性輻照的特點，以及其獨特的極化效應，特 別適合于制作超高頻、高溫、高耐壓、大功率器件，在無線通信、雷達探測系統(tǒng)、高溫電子器 件和照明領域具有廣闊的應用前景。但是由于GaN材料缺少同質襯底，目前普遍采用異質外延的方式進行生...
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