技術編號：6940040
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造工藝，特別涉及制作半導體器件的方法。 背景技術微尺寸半導體集成電路器件的技術發(fā)展需要改進的用于制造半導體雜質區(qū)的導 電接觸的方法。金屬硅化物已經(jīng)證明是優(yōu)異的接觸材料，其易于通過金屬硅化工藝以自對 準方式形成。通過金屬硅化工藝形成金屬硅化物接觸通常包括下列步驟在包括含硅器件區(qū)和 電介質隔離區(qū)兩者的半導體襯底上均勻地沉積含有硅化物金屬或金屬合金(即能與硅反 應從而形成金屬硅化物的金屬或金屬合金)的薄金屬層(例如厚度小于15nm)，加熱該半導...
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