技術(shù)編號：6938354

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本發(fā)明是有關(guān)一種半導(dǎo)體工藝，且特別是有關(guān)于一種無刮傷(nonscratch)化學(xué)機械研磨工藝(chemical mechanical polishing，簡稱CMP)。然而，上述化學(xué)機械研磨工藝雖然能在操作期間保持去除率(removing rate)的穩(wěn)定，但是不可避免的是在完成研磨后，因為被研磨層已被去除，而使暴露出的晶片表面被研磨粒刮傷(scratch)，尤其當(dāng)預(yù)定被研磨去除的層是絕緣層時，研磨初期被去除的絕緣層還會成為殘留顆粒，增加晶片表面在研磨后期...
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