技術(shù)編號：6931635
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于功率電子學領域，涉及一種功率模塊，具體地說是一 種有較低雜散電感的功率模塊。背景技術(shù)功率模塊包括絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊、二極管模塊， MOSFET模塊，智能功率(IPM)模塊等?，F(xiàn)有的這些功率模塊中由 于功率端子結(jié)構(gòu)設計的問題，造成在模塊內(nèi)部有較高的寄生電感，使 得模塊關斷的時候承受較大的電壓應力。現(xiàn)以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊為例說明因較高寄生電 感存在，導致關斷的時候是如何承受較大的電壓應力的。絕緣柵雙極 型晶體管(IGB...
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