技術(shù)編號：6931226

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本發(fā)明涉及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)，尤其涉及一種源漏能帶工程無電容式DRAM， 屬于超大規(guī)模集成電路中的半導(dǎo)體存儲器。背景技術(shù)半導(dǎo)體存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)是最重要的 存儲器之一，被認(rèn)為是半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點的推動和領(lǐng)航者。傳統(tǒng)的DRAM基于一個晶體管 和一個電容的結(jié)構(gòu)(1T/1C)，晶體管控制信息的讀取和寫操作，電容儲存電荷信息。不 斷降低單元成本，提高動態(tài)隨機(jī)存儲器的密度和容量，是DRAM取得商業(yè)成功的關(guān)鍵。 但是在DR...
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