技術(shù)編號：6931006
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于半導體裝置(semiconductor device)的制程技術(shù)，特別是有關(guān)于利用在單一晶圓式化學氣相沉積的反應室(single-wafer chemicalvapot deposition chamber)，亦即以同步制程(in-situ process)來降低復晶硅層(polysilicon layer)反射率的方法。為了降低光線的反射而解決上述問題，業(yè)者提出一種在復晶硅層以及光阻層之間設(shè)置防反射層(knti-reflection lay...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。