技術(shù)編號(hào)：6930855

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別涉及。背景技術(shù)自從1967年貝爾實(shí)驗(yàn)室的D. Kahng和S. M. Sze提出了浮柵結(jié)構(gòu)的非易失性半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器以來(lái)，基于柵堆疊的MOSFET結(jié)構(gòu)的浮柵半導(dǎo)體存儲(chǔ)器就在容量、成本和功耗上以 占有極大的優(yōu)勢(shì)取代了之前長(zhǎng)期使用的磁存儲(chǔ)器。在此基礎(chǔ)上，日本東芝公司在1984年成功提出了 Flash存儲(chǔ)器的概念，目前Flash 存儲(chǔ)器是非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的主流器件，但是隨著微電子技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷向前推 進(jìn)，工藝線寬將進(jìn)一步減小，基于...
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