技術(shù)編號(hào):6924935
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種方法用以分離單晶體、特別是單晶的盤片或晶片或其部分。本發(fā)明特別涉及這樣一種分離單晶體的方法,其帶有自動(dòng)調(diào)整的裂紋擴(kuò)展的。背景技術(shù)半導(dǎo)材料的單晶的晶片作為基片用于制造微型電子構(gòu)件例如場(chǎng)效應(yīng)的和異雙極 的晶體管或光電子構(gòu)件如激光二極管和發(fā)光二極管。在這些基片上通過不同的方法如CVD、 M0CVD、LPE、MBE來施設(shè)功能層和必要時(shí)精加工或通過在基片內(nèi)離子植入而產(chǎn)生。然后它們 在曝光掩膜的多次使用下完成復(fù)雜的結(jié)構(gòu)化過程。為了各曝光掩膜的定向(調(diào)準(zhǔn))...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。