技術(shù)編號(hào)：6922075
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及應(yīng)用到一非易失性存儲(chǔ)器或類似的存儲(chǔ)器的一種磁阻元件。在該磁存儲(chǔ)器元件中，用來存儲(chǔ)信息的最小單元被稱為一磁存儲(chǔ)單元。該磁存儲(chǔ)單元通常具有一存儲(chǔ)層和參考層。該參考層是一磁材料層，該磁材料層的磁化方向是固定的或固定在一特定的方向。該存儲(chǔ)層是用于存儲(chǔ)信息的層，并且通常是能通過一外加磁場來改變其磁化方向的一磁材料層。該磁存儲(chǔ)單元的邏輯狀態(tài)是由在存儲(chǔ)層中的磁化方向是否與在參考層中的磁化方向平行來確定的。如果因?yàn)樵揗R(磁阻)效應(yīng)，這些磁化方向相互平行，那么磁...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。