技術(shù)編號：6914999
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種高耐壓半導(dǎo)體器件。附圖說明圖12所示的絕緣柵型晶體管包括P型半導(dǎo)體襯底1，形成在半導(dǎo)體襯底1內(nèi)的包括低濃度N型雜質(zhì)的漏極偏置(off set)擴散區(qū)2，埋入在漏極偏置擴散區(qū)2內(nèi)的包括P型雜質(zhì)的低濃度埋入擴散區(qū)3，位于漏極偏置擴散區(qū)2內(nèi)的包括高濃度N型雜質(zhì)的漏極擴散區(qū)4，形成在半導(dǎo)體襯底1內(nèi)的包括高濃度N型雜質(zhì)的源極擴散區(qū)5，以及包括高濃度P型雜質(zhì)的接觸用擴散區(qū)19。低濃度埋入擴散區(qū)3，具有給漏極印加高電壓時促進漏極偏置擴散區(qū)2的耗盡化的功能。...
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