技術(shù)編號：6901731
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及光電二極管，尤其涉及絕緣體上外延硅(SOI)溝槽光電二極管及這種光電二極管的形成方法。經(jīng)常在用于噪聲抑制的集成的光電電路中使用光電二極管檢測器。共同受讓的Crow等人(下文稱做“Crow”)的美國專利申請No.09/205,433公開了用做檢測器的光電二極管結(jié)構(gòu)，該檢測器使用了在塊硅中的深溝槽中生長的橫向PIN二極管(即，輕度摻雜的(接近于本征的)區(qū)位于通常的二極管的p和n型區(qū)之間的pn結(jié)器件)。這種結(jié)構(gòu)稱做“體溝槽檢測器(bulk tre...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。