技術(shù)編號(hào)：6894184

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本發(fā)明涉及一種光腔結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘紅外探測(cè)器，尤其涉及一種多層敏感膜光腔結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘紅外探測(cè)器。 背景技術(shù) 早在上個(gè)世紀(jì)四十年代初，光電型紅外探測(cè)器就問(wèn)世了，五、六十年代肖特基勢(shì)壘紅外探測(cè)器的相關(guān)研究就已經(jīng)開(kāi)始了；1973年，羅馬空氣研究中心的F.D.Shepherd和A.C.Yang就提出了硅化物肖特基勢(shì)壘紅外探測(cè)器焦平面陣列概念；在1975～1979年，由E.S.Kohn和S.A.Rooslid等文獻(xiàn)就報(bào)道了，制作的肖特基勢(shì)壘紅外鈀硅(Pd2Si)或...
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