技術(shù)編號(hào)：6892173
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種可用于硅基光電集成器件的Si0x薄膜制備方法，屬于光電子材料。 背景技術(shù)以硅基材料為基礎(chǔ)的微電子技術(shù)的發(fā)展是21世紀(jì)最引人注目的高技術(shù)成就之一，利用集成電路技術(shù)制作的半導(dǎo)體芯片，已經(jīng)成為現(xiàn)代電子技術(shù)的基礎(chǔ)，并且引起了社會(huì)生活的巨大變革。當(dāng)Si微電子技術(shù)越來越接近其物理極限的時(shí)候，信息和通訊技術(shù)對(duì)進(jìn)一步提高傳輸速率，開發(fā)研制超高速、超大容量的硅基光電子集成芯片提出了挑戰(zhàn)，于是硅基光電集成關(guān)鍵材料和器件的研究開發(fā)便成為國 際科學(xué)界和工業(yè)界特別受關(guān)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。