技術(shù)編號(hào)：6877137
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種納米線(nanowire)發(fā)光器件，具體地說，涉及一種采用半導(dǎo)體納米線的新型發(fā)光器件及其制造方法。背景技術(shù) 通常，使用如圖1所示的化合物半導(dǎo)體外延層，將半導(dǎo)體發(fā)光器件構(gòu)造成PN結(jié)結(jié)構(gòu)。也就是說，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件10包括按其順序?qū)臃e在基板11上的第一導(dǎo)電型氮化物層14、多量子阱結(jié)構(gòu)的活性層(有源層)15、和第二導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層。而且，第一電極18連接至第一導(dǎo)電型氮化物層14，而第二電極19連接至第二導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層17。第一導(dǎo)電型氮...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。