技術(shù)編號：6870771
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體掩膜板的制造過程，特別是涉及一種可以避免顆粒污染的曝光方法和曝光機臺。背景技術(shù) 掩膜(mask)的質(zhì)量是光刻工藝中很重要的一環(huán)，會影響到使用該掩膜的每一個晶圓(wafer)。掩膜板一般需要曝光波長下的高透光度，小的熱膨脹系數(shù)、以及可減少光散射的平坦的精細拋光面。在玻璃的一面覆蓋有形成圖形的不透光層，一般采用鉻層作為不透光層。掩膜上形成圖形后，可以通過與數(shù)據(jù)庫進行對比檢查是否有缺陷，可以用激光去掉不應(yīng)該存在的鉻，可以用額外的淀積來修理存在的針...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。