技術(shù)編號：6867324
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及一種半導(dǎo)體，更具體地涉及一種具有很小尺寸的半導(dǎo)體晶片管。背景技術(shù) 常規(guī)晶體管典型地對于源和漏極使用相同材料。對于特定應(yīng)用定制所使用的材料。例如，對于其中需要從晶體管提供有效的功率需求的應(yīng)用，希望具有高擊穿電壓的晶體管材料。這種材料包括已知具有高帶隙能的那些材料。目前，不對稱晶體管(asymmetric transistors)提供了改善晶體管器件性能的優(yōu)點。此外，對于需要高擊穿電壓和低漏結(jié)漏電流的晶體管，希望在漏區(qū)中采用高帶隙材料。晶體管的另...
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