技術(shù)編號：6858754

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本發(fā)明涉及一種，特別是一種符合JEDEC協(xié)會所訂定具有高容量的存儲器模塊及其制造方法。存儲器模塊是多個動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)芯片焊接在一印刷電路板上所形成。其應(yīng)用，特別是高容量的存儲器模塊，更為高科技產(chǎn)品所必須的零組件且影響系統(tǒng)的性能甚大。例如，每一臺伺服器或個人計算機都要安裝足夠的隨機存取存儲器，從早期個人計算機所需隨機存取存儲器16MB、32MB或64MB的到伺服器所需隨機存取存儲器256MB、512MB或1GB的容量都呈幾何倍數(shù)增加。目前標(biāo)準...
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