技術(shù)編號：6857638
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，具體地說，涉及一種具有溝槽柵型MOS晶體管的半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù) 近年來，在使動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)單元小型化時，不可避免地會縮短單元陣列(下稱“單元晶體管”)的存取晶體管的柵極長度。不過，存在柵極長度越短，晶體管的短溝槽效應(yīng)越明顯的問題；從而，晶體管閾值電壓(Vth)下降，閾下電流增大。另外，在襯底中雜質(zhì)的濃度增加，從而抑制Vth下降的情況下，具有DRAM中刷新特性的降低變嚴重的問題，這是因為結(jié)泄漏增大。發(fā)明內(nèi)容為了避免發(fā)生...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。