技術(shù)編號(hào):6857250
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明系涉及集成電路的抗靜電放電技術(shù),特別是涉及側(cè)向半導(dǎo)體控制整流器的環(huán)形組件結(jié)構(gòu),以較小的布局面積提供較佳的靜電放電保護(hù)能力。有鑒于半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,CMOS組件的尺寸已降至亞微米,甚至半微米等級(jí)。而隨此先進(jìn)技術(shù)造成的組件型態(tài),包括有如甚薄的柵極氧化層、較短的晶體管信道區(qū)、源極和漏極漏極區(qū)的淺結(jié)(shallow junction)、具有輕摻雜漏極(LDD)特性的結(jié)構(gòu)、以及金屬硅化物的擴(kuò)散(silicided diffusion)工藝等等,俱皆減弱由此CM...
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