技術編號：6848535
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及金屬硅化物的制作方法，特別是涉及采用選擇性離子注入預非晶化的金屬硅化物制作方法。背景技術 在源漏區(qū)域選擇性外延生長硅鍺使通道區(qū)域產生應變已經成為P型通道金屬氧化物半導體場效應晶體管(PMOSFET)提高載子遷移性的有效方法。但是，已經發(fā)現在硅上和外延生長的硅鍺上形成金屬硅化物的條件不同。如在外延生長的硅鍺上形成金屬硅化物的溫度高于在硅上形成金屬硅化物的溫度，如在硅上鎳金屬硅化物形成的第一快速升溫回火(RapidThermal Annealing，...
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