技術(shù)編號：6845681
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，涉及利用雙柵極或“翼片(fin)”FET晶體管的半導(dǎo)體制造方法。背景技術(shù) 常規(guī)的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)具有這樣的結(jié)構(gòu)其中在晶體管溝道區(qū)之上柵電極被中間柵電介質(zhì)膜取代。在該溝道之下的區(qū)域包括體型襯底或者外延膜。通過將偏壓施加給柵電極運(yùn)行晶體管。體型材料同樣地接地或被偏壓到恒定電壓。因此，常規(guī)的晶體管可以被描述為具有單側(cè)柵極，因?yàn)闁艠O僅存在于該溝道的一側(cè)(即之上)。一般認(rèn)為，單側(cè)柵極晶體管固有地具有在操作上的特性...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。