技術(shù)編號：6841517
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及電子設(shè)備的制造。更具體地，本發(fā)明涉及光致抗蝕劑組合物和利用負(fù)性顯影方法形成精細(xì)圖案的光刻工藝。所述光致抗蝕劑組合物包括與抗蝕劑中樹脂組分基本不可混溶的一種或多種聚合物添加劑。本發(fā)明優(yōu)選的組合物和方法對光刻工藝中的缺陷和工藝窗口有改進(jìn)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造工業(yè)中，光致抗蝕劑(photoresist)材料用于將圖像轉(zhuǎn)移到分布在半導(dǎo)體基底上的一個或多個底層(如金屬、半導(dǎo)體和介電層)以及所述基材本身。為了提高半導(dǎo)體設(shè)備的集成密度以及形成具有納米(n...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。