技術(shù)編號：6841288
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種功率型半導(dǎo)體器件或模塊的散熱技術(shù)，具體地說是一種功率半導(dǎo)體器件或模塊的主動式蒸發(fā)散熱裝置。背景技術(shù)功率型半導(dǎo)體器件，從普通的晶閘管到新型的GTO、GTR、MOSFET、IGBT、MCT、IGCT和IPM等功率型電力電子半導(dǎo)體器件，以及功率型半導(dǎo)體模塊等，均是在具有大的自身耗散功率的前提下，才有可能獲得大的輸出功率。當(dāng)有大電流流過時，發(fā)熱現(xiàn)象十分嚴(yán)重。只有將所產(chǎn)生的熱量迅速、及時、有效地散發(fā)出去，才能夠保證功率型半導(dǎo)體器件或模塊應(yīng)具有的工作...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。