技術(shù)編號：6831616
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種超結(jié)結(jié)構(gòu)的制造方法和超結(jié)半導(dǎo)體器件的制造方法。 背景技術(shù)功率MOSFET是多子導(dǎo)電型器件，具有輸入阻抗高、頻率高、導(dǎo)通電阻具有正溫度 系數(shù)等諸多優(yōu)點。這些優(yōu)點使其在功率電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，大大提高了電子系統(tǒng)的 效率。器件耐高壓需要漂移區(qū)較長且漂移區(qū)摻雜濃度低。然而，隨 著漂移區(qū)長度的增加和摻雜濃度的降低，導(dǎo)致器件的導(dǎo)通電阻0增 加，開態(tài)功耗增大，器件導(dǎo)通電阻t與擊穿電壓BV存在如下關(guān)系即權(quán)利要求1. 一種，其特征在于包括如下步驟a、在半導(dǎo)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。