技術編號：6824293
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種制造大規(guī)模集成半導體器件的方法，特別涉及以高生產(chǎn)率在小通孔內(nèi)淀積Al-Cu薄膜的工藝。對于大規(guī)模集成半導體器件，例如目前的256 Mb DRAM，要求填充非常小的通孔，以構成多級互連的第二級(最頂層)。一種Al-Cu的濺射工藝，可在一個步驟中形成第二級互連和在第一與第二級互連之間的接觸，它可減少工藝時間并降低成本，因此被用于64-Mb DRAM和CMOS邏輯電路的BEOL(線后端)布線工藝。但是，對于256-Mb DRAM，該通孔的尺寸按比例...
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