技術(shù)編號：6820105
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及高阻負載靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)，更具體地說涉及對SRAM的改進，該SRAM具有由多晶體的硅(多晶硅)層制成的高阻負載和CMOS晶體管。在各種半導(dǎo)體器件中，SRAM已被作為存儲裝置廣泛使用。典型的SRAM包括排列成矩陣的多個存儲單元，每個存儲單元用于存儲數(shù)據(jù)“高”或“低”。高阻負載SRAM單元，即一種典型的SRAM單元通常具有完成一對高阻負載的功能的多晶硅膜，該多晶硅膜提供了用于SRAM的簡單結(jié)構(gòu)。參看附圖說明圖1，典型的SRAM單元通常具...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。