技術(shù)編號：6820105

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本發(fā)明涉及高阻負載靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)，更具體地說涉及對SRAM的改進，該SRAM具有由多晶體的硅(多晶硅)層制成的高阻負載和CMOS晶體管。在各種半導(dǎo)體器件中，SRAM已被作為存儲裝置廣泛使用。典型的SRAM包括排列成矩陣的多個存儲單元，每個存儲單元用于存儲數(shù)據(jù)“高”或“低”。高阻負載SRAM單元，即一種典型的SRAM單元通常具有完成一對高阻負載的功能的多晶硅膜，該多晶硅膜提供了用于SRAM的簡單結(jié)構(gòu)。參看附圖說明圖1，典型的SRAM單元通常具...
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