技術(shù)編號：6807163
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體材料表面的清潔方法，特別涉及一種用等離子體清潔磷化銦材料及其器件表面沾污的方法。在空氣中，磷化銦(InP)材料表面容易被氧化、又有碳等的沾污，這些直接影響由它制作的器件的壽命和其它特性，實驗表明，用電子回旋共振等離子體化學氣相沉積法在未用本發(fā)明的方法清潔過的磷化銦(InP)材料或其制作的器件表面直接淀積二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等介質(zhì)膜和這些介質(zhì)膜組成的光學膜時，介質(zhì)膜在表面的附著性較差。關(guān)于半導(dǎo)體材料的表面清潔方法，1989年第28卷...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。