技術(shù)編號(hào):6804247
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置以及制造該半導(dǎo)體裝置的方法,特別是涉及一種適用于雙柵極裝置者。背景技術(shù) 超大規(guī)模集成半導(dǎo)體裝置在高密度與高性能的不斷需求上,需諸如100納米以下的柵極長(zhǎng)度、高可靠度與提高的制造產(chǎn)量等結(jié)構(gòu)特性。將結(jié)構(gòu)特性降低到100nm以下是對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的挑戰(zhàn)。例如,當(dāng)公知的平面金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的柵極長(zhǎng)度小于100nm時(shí),與短溝道效應(yīng)有關(guān)的問(wèn)題,譬如源極與漏極之間的過(guò)度泄漏,則會(huì)變得越來(lái)越難克服。此外,遷移率的降低以及許多制程上...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。