技術(shù)編號(hào)：6797988
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。該發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件表面處理方法。剖析集成電路芯片，對(duì)版形進(jìn)行分析，從而獲得電路的設(shè)計(jì)構(gòu)思，線路圖，探討光刻掩膜版圖的合理性，對(duì)優(yōu)化設(shè)計(jì)，縮短設(shè)計(jì)周期，加速集成電路新品開發(fā)是一條捷徑。離子注入摻雜區(qū)域的平面結(jié)構(gòu)顯示技術(shù)也是電路剖析技術(shù)之一。這是集成電路版面分析前必不可少的重要手段。傳統(tǒng)的集成電路摻雜工藝采用擴(kuò)散方法。擴(kuò)散的結(jié)果是，在芯片的表面將留下各道擴(kuò)散時(shí)在光刻氧化層“窗口”的圖形。其邊緣有氧化層臺(tái)階。從“窗口”不同氧化層顏色可以判斷不同的擴(kuò)散區(qū)域，如基...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。