技術(shù)編號：6784916
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及拋光組合物和使用該組合物拋光基底的方法。背景技術(shù) 作為隔離半導(dǎo)體器件的各元件的方法，大量關(guān)注集中在淺槽隔離(shallow trench isolation)(STI)工藝，其中在硅基底上形成氮化硅層，通過蝕刻或光刻法形成淺槽，并沉積介電層以填充該槽。由于以這種方式形成的槽或線的深度的變化，一般必須在基底頂部上沉積過量的介電材料以確保完全填充所有槽。然后一般地通過化學(xué)-機(jī)械平面化工藝除去過量的介電材料(例如，氧化物)以暴露氮化硅層。當(dāng)?shù)鑼颖┞?..
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