技術(shù)編號：6780004
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲器材料上的高密度存儲器元件，例如電阻隨機(jī)存 取存儲器(RRAM)元件，以及用于編程該裝置的方法。通過施加能量， 該存儲器材料可在電特性狀態(tài)之間切換。該存儲器材料可以是相變化 為基礎(chǔ)的存儲器材料，包含硫?qū)倩?chalcogenide)為基礎(chǔ)的材料，以 及其它的材料。背景技術(shù)相變化為基礎(chǔ)的存儲器材料被廣泛地使用在讀寫光盤。這些材料 至少有兩種固態(tài)相，包含例如非晶固態(tài)相，以及結(jié)晶固態(tài)相。激光脈 沖被用來切換讀寫光盤的相位，以及讀取在相變化后該材料...
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