技術編號：6768340
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及非易失性存儲器的技術。 背景技術半導體存儲器已經(jīng)變得越來越流行用于各種電子設備。例如，在蜂窩電話、數(shù)碼相機、個人數(shù)字助理、移動計算設備、非移動計算設備和其他設備中使用非易失性半導體存儲器。電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)和閃存位列最流行的非易失性半導體存儲器之間。EEPROM和閃存兩者都使用在半導體襯底中的溝道區(qū)域上方且與其隔離的浮置柵極。浮置柵極位于源極和漏極區(qū)域之間。在浮置柵極上且與其絕緣地提供控制柵極。晶體管的閾值電壓受浮置柵極上保...
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