技術(shù)編號：6766591
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及一種非易失性半導(dǎo)體存儲器裝置，具體涉及一種相變隨機存儲o背景技術(shù)相變隨機存儲器(PCRAM)是一種非易失性半導(dǎo)體存儲器，當(dāng)電源供給中斷時仍然 保存已存儲的數(shù)據(jù)。它利用了相變材料(例如Ge2Sb2Te5)能夠在晶態(tài)、非晶態(tài)之間發(fā)生可 逆轉(zhuǎn)變的特性，用材料在這兩種穩(wěn)定狀態(tài)下呈現(xiàn)的不同電阻值來區(qū)分相變存儲單元的邏輯值。圖1示出了一個存儲元件10的結(jié)構(gòu)圖，它包括上電極層11、絕緣層12、相變層13 和下電極層14，其中相變材料用作根據(jù)所產(chǎn)生溫度而變化...
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