技術(shù)編號：6760645
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于在磁阻效應(yīng)元件中存儲信息的磁存儲器。背景技術(shù) 近年來，MRAM(磁性隨機存取存儲器)已經(jīng)引起了注意，它作為存儲單元使用在如計算機和通信設(shè)備的信息處理裝置中。由于MRAM能夠磁性地存儲數(shù)據(jù)，并且因此不需利用任何電部件來維持磁化方向，因此能夠避免由于電源故障而喪失信息的缺點，如在易失性存儲器DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)中發(fā)生的那樣。MRAM在存取速度、可靠性和功耗方面也優(yōu)于如閃速EEPROM和硬盤這種傳統(tǒng)非易失性...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。