技術編號：6757780
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種存儲器的操作方法，且特別是涉及一種多階存儲單元(Multiple Level Cell，MLC)的編程方法。背景技術 存儲器元件依照斷電后是否仍可保存數(shù)據(jù)，可分為易失性以及非易失性存儲器兩種。其中，非易失性存儲器由于具有可寫入、可擦除以及斷電后仍可保存數(shù)據(jù)的優(yōu)點，因此已成為個人計算機和電子設備所廣泛采用的一種存儲器元件。一般來說，非易失性存儲器是由多個存儲單元構成，而每個存儲單元是由底介電層(穿隧層)、電荷存儲層、頂介電層(電荷阻擋層)與控制...
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