技術編號：6752979
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明大致涉及一種存儲單元陣列(memory cell array)，更具體的，本發(fā)明涉及一種虛擬接地架構的存儲器陣列。 背景技術 本領域中一般的存儲器陣列的架構是已知的。通常，存儲器陣列包含多條行和列線。陣列中的行通常被稱為字線(word lines)，而列被稱為位線(bit lines)，但該術語是相對的。字線和位線重疊部分稱為節(jié)點(node)。在每個節(jié)點上或其附近是一個通常為某種類型晶體管的存儲單元。在虛擬接地架構中，一條位線根據編程校驗或讀取的存儲...
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