技術(shù)編號：6738949
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基于在包括離子源層和電阻變化層的存儲層中觀察到的電特性的任何變化而存儲信息的存儲元件和存儲裝置。背景技術(shù)常用于數(shù)據(jù)存儲的半導(dǎo)體非易失性存儲器為NOR型或NAND型閃存。關(guān)于這種半導(dǎo)體非易失性存儲器，通過對其中的存儲元件及驅(qū)動晶體管進(jìn)行微細(xì)加工，已作出很多努 力以增大其容量。然而已指出的是，考慮到需要高的寫入和擦除電壓以及注入浮動?xùn)胖械碾娮拥臄?shù)量限制，半導(dǎo)體非易失性存儲器存在微細(xì)加工方面的限制。為了克服這種對微細(xì)加工的限制，目前提出的下一代非易...
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