技術(shù)編號(hào):67158
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于核技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域,具體涉及一種小型中子源。技術(shù)背景小型中子源主要有兩種,一種是放射源中子源,另一種是小型加速器中子源。放射源中子源的中子流強(qiáng)低,使用壽命有限,產(chǎn)生的是直流的中子束。而加速器中子源可以產(chǎn)生較高的中子流強(qiáng),可以產(chǎn)生直流或脈沖的中子束,在不工作的時(shí)間沒有中子產(chǎn)生,放射性污染少?,F(xiàn)有的加速器中子源有中子管,中子管(中子管的研究進(jìn)展及應(yīng)用,喬亞華,核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù)。2008第6期)是利用離子源產(chǎn)生的氘離子經(jīng)過(guò)加速管加速, 轟擊鈦吸附靶產(chǎn)生中子,由于鈦吸附靶的氘氣密度低,允許承受的束流密度也...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。