技術(shù)編號(hào):6632021
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種NAND FLASH壞塊管理方法,解決常見(jiàn)NAND FALSH壞塊管理算法中速度與容量無(wú)法均衡的問(wèn)題。該本發(fā)明在一個(gè)操作周期即可得到邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的物理塊地址。本發(fā)明可以在采用較少存儲(chǔ)空間的情況下,實(shí)現(xiàn)壞塊的管理工作。同時(shí)速度與全容量映射方法一樣,在一個(gè)操作周期即可得到邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的物理塊地址。有效解決了常見(jiàn)的壞塊管理方法中速度與面積的矛盾。將該方法應(yīng)用在存儲(chǔ)器的電子設(shè)計(jì)中,降低了對(duì)硬件的要求,如計(jì)算映射關(guān)系的RAM、存儲(chǔ)映射表的FLASH...
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